Wysokiej jakości pojedyncze kryształy SIC przygotowuje się głównie przez fizyczny transport pary (PVT) i wysokiej temperatury chemicznej osadzania pary (HTCVD). Metoda PVT sublimuje proszek źródłowy SIC w wysokiej temperaturze, powodując, że składniki w nim kondensują na powierzchni kryształu nasion wyrosły wysokiej jakości pojedyncze kryształy SIC. Metoda HTCVD syntetyzuje kryształy SIC w wysokich temperaturach poprzez chemiczne osadzanie pary.
